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BS EN 61000-4-6:2014 Electromagnetic compatibility (EMC) - Testing and measurement techniques. Immunity to conducted disturbances, induced by radio-frequency fields, 2014

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BS EN 61000-4-6:2014 Electromagnetic compatibility (EMC) - Testing and measurement techniques. Immunity to conducted disturbances, induced by radio-frequency fields, 2014

30292641-VOR.pdf [Go to Page]
English [Go to Page]
CONTENTS
FOREWORD
INTRODUCTION
1 Scope
2 Normative references
3 Terms and definitions
4 General
5 Test levels
6 Test equipment and level adjustment procedures [Go to Page]
6.1 Test generator
6.2 Coupling and decoupling devices [Go to Page]
6.2.1 General
6.2.2 Coupling/decoupling networks (CDNs)
6.2.3 Clamp injection devices
6.2.4 Direct injection devices
6.2.5 Decoupling networks
6.3 Verification of the common mode impedance at the EUT port of coupling and decoupling devices [Go to Page]
6.3.1 General
6.3.2 Insertion loss of the 150 ( to 50 ( adapters
6.4 Setting of the test generator [Go to Page]
6.4.1 General
6.4.2 Setting of the output level at the EUT port of the coupling device
7 Test setup and injection methods [Go to Page]
7.1 Test setup
7.2 EUT comprising a single unit
7.3 EUT comprising several units
7.4 Rules for selecting injection methods and test points [Go to Page]
7.4.1 General
7.4.2 Injection method
7.4.3 Ports to be tested
7.5 CDN injection application
7.6 Clamp injection application when the common mode impedance requirements can be met
7.7 Clamp injection application when the common mode impedance requirements cannot be met
7.8 Direct injection application
8 Test procedure
9 Evaluation of the test results
10 Test report
Annex A (normative) EM and decoupling clamps
Annex B (informative) Selection criteria for the frequency range of application
Annex C (informative) Guide for selecting test levels
Annex D (informative) Information on coupling and decoupling networks
Annex E (informative) Information for the test generator specification
Annex F (informative) Test setup for large EUTs
Annex G (informative) Measurement uncertainty of the voltage test level
Annex H (informative) Measurement of AE impedance
Annex I (informative) Port to port injection
Annex J (informative) Amplifier compression and non-linearity
Bibliography
Figures [Go to Page]
Figure 1 – Immunity test to RF conducted disturbances
Figure 2 – Open circuit waveforms at the EUT portof a coupling device for test level 1
Figure 3 – Test generator setup
Figure 4 – Principle of coupling and decoupling
Figure 5 – Principle of coupling and decouplingaccording to the clamp injection method
Figure 6 – Example of circuit for level setting setup in a 150 Ω test jig
Figure 7 – Example circuit for evaluating the performance of the current clamp
Figure 8 – Details of setups and components to verify the essential characteristics of coupling and decoupling devices and the 150 Ω to 50 Ω adapters
Figure 9 – Setup for level setting
Figure 10 – Example of test setup with a single unit EUT (top view)
Figure 11 – Example of a test setup with a multi-unit EUT (top view)
Figure 12 – Rules for selecting the injection method
Figure 13 – Immunity test to 2-port EUT (when only one CDN can be used)
Figure 14 – General principle of a test setup using clamp injection devices
Figure 15 – Example of the test unit locations on the ground plane when using injection clamps (top view)
Figure A.1 – Example: Construction details of the EM clamp
Figure A.2 – Example: Concept of the EM clamp
Figure A.3 – Dimension of a reference plane
Figure A.4 – Test jig
Figure A.5 – Test jig with inserted clamp
Figure A.6 – Impedance / decoupling factor measurement setup
Figure A.7 – Typical examples for clamp impedance, 3 typical clamps
Figure A.8 – Typical examples for decoupling factors, 3 typical clamps
Figure A.9 – Normalization setup for coupling factor measurement
Figure A.10 – S21 coupling factor measurement setup
Figure A.11 – Typical examples for coupling factor, 3 typical clamps
Figure A.12 – Decoupling clamp characterization measurement setup
Figure A.13 – Typical examples for the decoupling clamp impedance
Figure A.14 – Typical examples for decoupling factors
Figure B.1 – Start frequency as function of cable length and equipment size
Figure D.1 – Example of a simplified diagram for the circuit of CDN-S1 used with screened cables (see 6.2.2.5)
Figure D.2 – Example of simplified diagram for the circuit of CDN-M1/-M2/-M3 used with unscreened supply (mains) lines (see 6.2.2.2)
Figure D.3 – Example of a simplified diagram for the circuit of CDN-AF2 used with unscreened unbalanced lines (see 6.2.2.4)
Figure D.4 – Example of a simplified diagram for the circuit of a CDN-T2, used with an unscreened balanced pair (see 6.2.2.3)
Figure D.5 – Example of a simplified diagram of the circuit of a CDN-T4 used with unscreened balanced pairs (see 6.2.2.3)
Figure D.6 – Example of a simplified diagram of the circuit of a CDN AF8 used with unscreened unbalanced lines (see 6.2.2.4)
Figure D.7 – Example of a simplified diagram of the circuit of a CDN-T8 used with unscreened balanced pairs (see 6.2.2.3)
Figure F.1 – Example of large EUT test setupwith elevated horizontal reference ground plane
Figure F.2 – Example of large EUT test setupwith vertical reference ground plane
Figure G.1 – Example of influences upon voltage test level using CDN
Figure G.2 – Example of influences upon voltage test level using EM clamp
Figure G.3 – Example of influences upon voltage test level using current clamp
Figure G.4 – Example of influences upon voltage test level using direct injection
Figure G.5 – Circuit for level setting setup
Figure H.1 – Impedance measurement using a voltmeter
Figure H.2 – Impedance measurement using a current probe
Figure I.1 – Example of setup, port to port injection
Figure J.1 – Amplifier linearity measurement setup
Figure J.2 – Linearity characteristic
Figure J.3 – Measurement setup for modulation depth
Figure J.4 – Spectrum of AM modulated signal
Tables [Go to Page]
Table 1 – Test levels
Table 2 – Characteristics of the test generator
Table 3 – Main parameter of the combination of the coupling and decoupling device
Table 4 – Usage of CDNs
Table B.1 – Main parameter of the combination of the coupling and decoupling device when the frequency range of test is extended above 80 MHz
Table E.1 – Required power amplifier output power to obtain a test level of 10 V
Table G.1 – CDN level setting process
Table G.2 – CDN test process
Table G.3 – EM clamp level setting process
Table G.4 – EM clamp test process
Table G.5 – Current clamp level setting process
Table G.6 – Current clamp test process
Table G.7 – Direct injection level setting process
Table G.8 – Direct injection test process
Table H.1 – Impedance requirements for the AE
Table H.2 – Derived voltage division ratios for AE impedance measurements
Table H.3 – Derived voltage ratios for AE impedance measurements
Français [Go to Page]
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS
INTRODUCTION
1 Domaine d'application
2 Références normatives
3 Termes et définitions
4 Généralités
5 Niveaux d'essai
6 Matériel d'essai et procédures d'ajustement du niveau [Go to Page]
6.1 Générateur d'essai
6.2 Dispositifs de couplage et de découplage [Go to Page]
6.2.1 Généralités
6.2.2 Réseaux de couplage/découplage (RCD)
6.2.3 Dispositifs d’injection par pince
6.2.4 Dispositifs d’injection directe
6.2.5 Réseaux de découplage
6.3 Vérification de l'impédance de mode commun à l'accès EUT des dispositifs de couplage et de découplage [Go to Page]
6.3.1 Généralités
6.3.2 Perte d'insertion des adaptateurs 150 ( à 50 (
6.4 Réglage du générateur d'essai [Go to Page]
6.4.1 Généralités
6.4.2 Réglage du niveau de sortie à l'accès EUT du dispositif de couplage
7 Montage d'essai et méthodes d'injection [Go to Page]
7.1 Montage d'essai
7.2 EUT constitué d’une seule unité
7.3 EUT constitué de plusieurs unités
7.4 Règles applicables à la sélection des points d'essai et des méthodes d'injection [Go to Page]
7.4.1 Généralités
7.4.2 Méthode d'injection
7.4.3 Accès à soumettre à l'essai
7.5 Application de l'injection par RCD
7.6 Application de l'injection par pince lorsque les exigences d'impédance de mode commun peuvent être satisfaites
7.7 Application de l'injection par pince lorsque les exigences d'impédance de mode commun ne peuvent être satisfaites
7.8 Application de l'injection directe
8 Procédure d'essai
9 Evaluation des résultats d’essai
10 Rapport d'essai
Annexe A (normative) Pinces EM et pinces de découplage
Annexe B (informative) Critères de sélection pour la gamme de fréquences de l'application
Annexe C (informative) Indications pour la sélection des niveaux d'essai
Annexe D (informative) Informations sur les réseaux de couplage et de découplage
Annexe E (informative) Informations sur la spécification du générateur d'essai
Annexe F (informative) Montage d'essai pour les grands EUT
Annexe G (informative) Incertitude de mesure du niveau d'essai de tension
Annexe H (informative) Mesure de l'impédance de l'EA
Annexe I (informative) Injection d'accès à accès
Annexe J (informative) Compression et non linéarité d'amplificateur
Bibliographie
Figures [Go to Page]
Figure 1 – Essai d'immunité aux perturbations radioélectriques conduites
Figure 2 – Formes d'onde en circuit ouvert se produisant à l'accès EUT d'un dispositif de couplage pour le niveau d’essai 1
Figure 3 – Montage du générateur d'essai
Figure 4 – Principe du couplage et du découplage
Figure 5 – Principe du couplage et du découplage selon la méthode d'injection par pince
Figure 6 – Exemple de circuit de réglage du niveau sur un montage d'essai 150 Ω
Figure 7 – Exemple de circuit d'évaluation des performances de la pince de courant
Figure 8 – Détails des montages et des composants pour vérifier les caractéristiques essentielles des dispositifs de couplage et de découplage et des adaptateurs 150 Ω à 50 Ω
Figure 9 – Montage de réglage du niveau
Figure 10 – Exemple de montage d'essai avec un EUT à une seule unité (vue de dessus)
Figure 11 – Exemple de montage d'essai avec un EUTà plusieurs unités (vue de dessus)
Figure 12 – Règles pour la sélection de la méthode d'injection
Figure 13 – Essai d'immunité pour EUT à 2 accès (un seul RCD peut être utilisé)
Figure 14 – Principe général d'un montage d'essai utilisantdes dispositifs d’injection par pince
Figure 15 – Exemple de localisation des appareils d'essai sur le plan de masseavec utilisation de pinces d'injection (vue de dessus)
Figure A.1 – Exemple: Détails de construction de la pince EM
Figure A.2 – Exemple: Conception de la pince électromagnétique (EM)
Figure A.3 – Dimension d'un plan de référence
Figure A.4 – Montage d'essai
Figure A.5 – Montage d'essai avec pince insérée
Figure A.6 – Montage de mesure impédance/facteur de découplage
Figure A.7 – Exemples typiques pour l'impédance de pince, 3 pinces typiques
Figure A.8 – Exemples typiques de facteurs de découplage, 3 pinces typiques
Figure A.9 – Montage de normalisation pour mesure du facteur de couplage
Figure A.10 – Montage de mesure du facteur de couplage S21
Figure A.11 – Exemples typiques pour le facteur de couplage, 3 pinces typiques
Figure A.12 – Montage de mesure impédance/facteur de découplage
Figure A.13 – Exemples typiques de l'impédance de pince de découplage
Figure A.14 – Exemples typiques pour les facteurs de découplage
Figure B.1 – Fréquence initiale en fonction de la longueurdes câbles et de la taille des matériels
Figure D.1 – Exemple de schéma simplifié pour le circuit de RCD-S1 utiliséavec des câbles blindés (voir 6.2.2.5)
Figure D.2 – Exemple de schéma simplifié pour le circuit de RCD-M1/-M2/-M3 utilisé avec des lignes d'alimentation (réseau) non blindées (voir 6.2.2.2)
Figure D.3 – Exemple de schéma simplifié pour le circuit de RCD-AF2 utilisé avec des lignes asymétriques non blindées (voir 6.2.2.4)
Figure D.4 – Exemple de schéma simplifié d'un circuit RCD-T2, utilisé avec une paire symétrique non blindée (voir 6.2.2.3)
Figure D.5 – Exemple de schéma simplifié du circuit d'un RCD-T4 utilisé avec des paires symétriques non blindées (voir 6.2.2.3)
Figure D.6 – Exemple de schéma simplifié du circuit d'un RCD AF8 utilisé avec des lignes asymétriques non blindées (voir 6.2.2.4)
Figure D.7 – Exemple d'un schéma simplifié du circuit d'un RCD-T8 utilisé avec des paires symétriques non blindées (voir 6.2.2.3)
Figure F.1 – Exemple de montage d'essai de grand EUT avec plan de masse de référence horizontal surélevé
Figure F.2 – Exemple de montage d'essai de grand EUT avec plan de masse de référence vertical
Figure G.1 – Exemple d’influences sur le niveau d’essai de tension avec RCD
Figure G.2 – Exemple d’influences sur le niveau d’essai de tension avec pince EM
Figure G.3 – Exemple d’influences sur le niveau d’essaide tension avec pince de courant
Figure G.4 – Exemple d’influences sur le niveau d’essai de tension par injection directe
Figure G.5 – Circuit pour montage de réglage de niveau
Figure H.1 – Mesure de l'impédance à l'aide d'un voltmètre
Figure H.2 – Mesure de l'impédance à l'aide d'une sonde de courant
Figure I.1 – Exemple de montage, injection accès à accès
Figure J.1 – Montage de mesure de la linéarité de l'amplificateur
Figure J.2 – Caractéristiques de linéarité
Figure J.3 – Montage de mesure de la profondeur de modulation
Figure J.4 – Spectre du signal modulé en amplitude
Tableaux [Go to Page]
Tableau 1 – Niveaux d'essai
Tableau 2 – Caractéristiques du générateur d'essai
Tableau 3 – Paramètre principal du dispositif de couplage et de découplage
Tableau 4 – Utilisation des RCD
Tableau B.1 – Paramètre principal de la combinaison du dispositif de couplage et de découplage quand la gamme des fréquences d’essai est étendue au-delà de 80 MHz
Tableau E.1 – Puissance de sortie de l'amplificateur de puissance nécessaire pour obtenir un niveau d'essai de 10 V
Tableau G.1 – Processus de réglage de niveau avec RCD
Tableau G.2 – Processus d’essai avec RCD
Tableau G.3 – Processus de réglage du niveau avec pince EM
Tableau G.4 – Processus d’essai avec pince EM
Tableau G.5 – Processus de réglage de niveau avec pince de courant
Tableau G.6 – Processus d’essai avec pince de courant
Tableau G.7 – Processus de réglage du niveau par injection directe
Tableau G.8 – Processus d’essai par injection directe
Tableau H.1 – Exigences d'impédance pour l'EA
Tableau H.2 – Rapports de division de la tension dérivée pour les mesures d'impédance de l'EA
Tableau H.3 – Rapports de division de la tension dérivée pour les mesures d'impédance de l'EA [Go to Page]

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